NeuroSim目前包含六個模塊。它贏得了學習技術的重要獎項。
六個模塊
HH六個模塊
HODGKIN-HUXLEY模擬了神經衝動的霍奇金 - 赫胥黎模型。可以在電流鉗或電壓鉗模式下應用兩個激勵脈衝，每個脈衝具有方波或斜坡波形以及用戶定義的幅度和時序。可以模擬各種各樣的現象，包括不應期，閾值調節，電壓鉗尾電流，單通道膜片鉗電導等等。動畫片展示了分子門在細胞膜中的作用。可以應用各種藥物，並且可以改變溫度和離子濃度。
GOLDMAN
GOLDMAN模擬Goldman-Hodgkin-Katz常數場方程（為簡潔起見稱為Goldman方程）。這使學生能夠探索離子濃度和平衡電位，相對離子滲透率和膜電位之間的關係。它明確地計算了一系列離子參數的能斯特和戈德曼方程。
MEMBRANE
MEMBRANE PATCH模擬單離子通道的動力學特性。提供三種簡單型號：雙態開/關通道; 3狀態激動劑激活通道（關閉/未結合，關閉/結合，開放/結合）; 和一個三態關閉，打開，阻塞的通道。該程序還可以為具有用戶定義的轉換速率常數的最多5個狀態的通道建模。可以顯示開路時間和關閉時間直方圖，疊加多指數曲線。提供簡單的突發分析選項。打開和關閉時間的原始數據可以導出為ASCII文件，以進行更複雜的分析。
PASSIVE CONDUCTION
PASSIVE CONDUCTION模擬神經元的非尖峰傳導特性（電纜特性）。實驗情況如下。存在長的均勻長度的非刺突軸突或樹突，其中插入六個微電極。該線一端的電極用於注入正或負電流的方波脈衝。其他五個電極用於測量電壓。用戶可以調節電流脈衝的幅度，持續時間和延遲，以及五個記錄電極相對於電流注入位置的位置。用戶“構建” 軸突通過設定其膜特徵和直徑。目的是根據軸突的特徵顯示電流對電流脈衝的響應如何隨時間和距離變化。它演示了信號衰減如何與時間常數和空間常數的性質相關。可以證明時間總和。膜電位可以顯示為電位隨時間變化的曲線圖，或者顯示出對抗記錄電極的軸突位置的電位圖。目的是根據軸突的特徵顯示電流對電流脈衝的響應如何隨時間和距離變化。它演示了信號衰減如何與時間常數和空間常數的性質相關。可以證明時間總和。膜電位可以顯示為電位隨時間變化的曲線圖，或者顯示出對抗記錄電極的軸突位置的電位圖。目的是根據軸突的特徵顯示電流對電流脈衝的響應如何隨時間和距離變化。它演示了信號衰減如何與時間常數和空間常數的性質相關。可以證明時間總和。膜電位可以顯示為電位隨時間變化的曲線圖，或者顯示出對抗記錄電極的軸突位置的電位圖。可以證明時間總和。膜電位可以顯示為電位隨時間變化的曲線圖，或者顯示出對抗記錄電極的軸突位置的電位圖。可以證明時間總和。膜電位可以顯示為電位隨時間變化的曲線圖，或者顯示出對抗記錄電極的軸突位置的電位圖。
網路
NETWORK允許用戶構建通過非尖峰或尖峰化學突觸和整流或非整流電突觸相互連接的神經元的任意電路。每個神經元的許多膜特性可以單獨設置，包括使神經元成為內源性破裂的選擇。儘管簡化了活動膜事件以使速度最大化，但是可以包括諸如閾值調節的尖峰特徵。可以將限定幅度和定時的實驗電流脈衝注入任何神經元。可以定義許多不同類型的突觸，包括具有不同逆轉電位，突觸強度和促進性質的化學突觸，以及具有不同整流特性的電突觸。化學突觸可以是電壓依賴性的。具有確定特徵的強直或隨機突觸輸入可以影響任何神經元。這些特徵使得能夠展示非常廣泛的電路現象，包括內源和網絡振盪器，感覺系統中的橫向抑制等等。突觸可以用Hebbian屬性定義，當突觸前神經元和突觸後神經元共同活躍時，連接強度增加，如長期增強（LTP）。可以使用一系列功能來支持使用此類Hebbian突觸進行學習和記憶過程的調查。
NEURON / SYNAPSE
NEURON / SYNAPSE是一種單室神經元模型，其中可以結合電壓依賴性和突觸電導。它旨在研究比標準HH模型更複雜的蜂窩系統，但它提供了類似的電流鉗和電壓鉗實驗設施。可以包括多達九種電壓相關的通道類型，每種類型具有用戶定義的最大電導和平衡電位，並且使用內置的公式編輯器定義激活和失活動力學。可以模擬細胞內鈣濃度波動，並且任何通道都可以依賴於鈣。這意味著可以模擬各種神經元類型，包括內源性爆發，具有大A電流的神經元等。神經元/突觸模擬可用於復製文獻中的許多經典模擬，和/或詳細探索通道動力學和其他性質變化的生理後果。除了電壓依賴性通道外，還可以包含多達五種配體門控（突觸）通道類型，每個都具有正方形或α波形電導分佈和定義的最大電導和平衡電位。突觸事件可以顯示促進或減少，可以是電導增加或減少類型，並且可以顯示電壓依賴性。可以定義用於量子釋放的參數用於電導增加突觸，允許對幅度波動進行統計分析。這允許詳細探索離子型突觸後事件，以及它們與電壓依賴性通道的相互作用。可以是電導增加或減少類型，並且可以顯示電壓依賴性。可以定義用於量子釋放的參數用於電導增加突觸，允許對幅度波動進行統計分析。這允許詳細探索離子型突觸後事件，以及它們與電壓依賴性通道的相互作用。可以是電導增加或減少類型，並且可以顯示電壓依賴性。可以定義用於量子釋放的參數用於電導增加突觸，允許對幅度波動進行統計分析。這允許詳細探索離子型突觸後事件，以及它們與電壓依賴性通道的相互作用。
